新闻资讯
看你所看,想你所想

ITO

ITO 是一种N型氧化物半导种完体-氧化铟锡,ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率透光率。

  • 中文名称 氧化铟锡
  • 英文名 Indium tin oxide
  • 别称 ITO
  • 化学式 In2O3-SnO2
  • 分子量 428.343

基本种张请地科部万搞立信息

  在化学上,ITO 是Indium Tin Oxides的缩写

  作为纳米铟金属氧化物,具有很好导电性和透明性,可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此,铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上,用作透明导电薄膜,同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。

  在氧化物导电膜中,以掺Sn的In2O3(ITO)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形,其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制,通常SnO2:In2O3=1:9。

  ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右来自,最好可达5*10E-5挥笔,已接近金属的电散英况磁调阻率,在实际应用时,常以方块电阻来表征ITO的导电性能,其透过率则可达90%以上,ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制,增加氧化铟比例则可提高ITO之透过率,通常SnO2: In2O3=1:9,因为氧化锡之厚度超过200Å时,通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。

  如果是电流平行流便经ITO膜层的情形用送轮清群断亮许但,其中d为膜厚,I为电流,笔识自未等格L1为在电流方向上膜厚层长度,久盾养L2为在垂直于电流方向上的膜层长度,当电流流过方形导电膜时,该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之电阻率,对于给定膜360百科层,P和d可视为定值,P/d,当L1=L2时,对于正方形膜层,无论方块大小如何,其电阻均为定值P/d,此即方块电阻定义: R□=P/d,式中R□单位为:欧姆/□(Ω/□),由此可得出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低,膜厚越大。

  在高档STN液晶显示屏中所用ITO玻璃,其R□可达10Ω/□左右,膜厚为100-200nm,而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□,膜厚为20-30nm。

主要用途

氢速城副江吗呢阳胞息  在进行LCD走线设计时,由ITO阻计算方式,可知影响ITO阻值有如下因素:

  1、ITO玻璃之方块电阻

  要确保走线电阻小,应酬让ITO玻璃方块电阻小,因为R□=P/d,则必须选P小,d适当大些的材料。

  2、L1/L2

  L1/L2即走线在平行然宪针坐或另复电流方向与垂直电流方向上的长度比,在R□一定时,要保证走线电阻值小,就要让L1/L2小,当L1一定时,只有增大L2,也说法是在设计时,走线应尽可能加宽;而当L2一定时,L1就要小,血声端线即走线宽度一定时,细线应尽可能短。

  3、ITO阻值影响

  在LCD显示新诗听自强已北鲜裂错垂屏设计当中,不仅要考虑走线布对ITO阻值的影响,还要考虑生产工艺对王范哥简阿间ITO阻值的影响,以便选择适当方块电阻的ITO玻璃,以便设计到制作的全面控制,生产高对比的LCD产品,这时高占空比及COG产品无为重要,如ITO膜厚的均匀性,因为ITO的靶材及工艺的不稳定,会使同样长度与宽度的ITO阻值发生变化,如目标值为10Ω时,其R□范围在定促危它集统例8-12Ω之间,所以在生产中要使用ITO膜厚均匀的导电玻璃,以减少电阻的变化,其次为ITO玻璃的耐高温时性,酸碱性,因为通常LCD生产工艺中要使用高温烘烤及各种酸碱液的浸泡,而一般在300°C *30min的环境中,会使R□增大2-3倍,而在10wt%NaOH*5min及6wt%HCL*2min(60°C)下也会增到1.1倍左右,由此可知,在生产工艺中不宜采用高温生产及酸碱的长时清洗,若无法避免,则应尽量在低温下进行并尽量缩短动作时间。

  4、由于在液晶显示器中,ITO方块电阻等效于电路图中的分压电阻,其阻值大小直接影响电路两端电压的大小,即方块电阻越大,LCD值电压越大。有数据表明,ITO之方块电阻由100Ω/□降至60Ω/□。(Cell Gap为6um)左右,Vth值会降低0.03V左右。

  多用于触控面板、触摸屏、冷光片等。

转载请注明出处累积网 » ITO

相关推荐

    声明:此文信息来源于网络,登载此文只为提供信息参考,并不用于任何商业目的。如有侵权,请及时联系我们:fendou3451@163.com