华南师范大学光电子材料与技术研究所

华南师范大学光电子材料与技术研究所来自(简称"材料所")是360百科专门从事光电准百知需子材料的MOCVD生长、性能分析、器料件制备及应用的研究机构，是以刘颂豪院士、范广涵教授为学科带头人，在原来MOCVD实验室的基础上于2002年8月成立的。

• 中文名称 华南师范大学光电子材料与技术研究所
• 带头人 刘颂豪院士、范广涵教授
• 成立时间 2002年8月
• 发展基础 MOCVD实验室

简介

　　来自现任所长为梅霆教授。在学校各级领导的帮助和材料所师生共同努力下，通过多年的实验室建设，目前材料所已发展成为华南师范大学国家重点光学学科和光电子材料与器件方向的校直管重点科研机构。材料所现有省教育厅"电致光电重点实验室"一个和"广州市LED工业研究开发基地"一个。是中国半导体照明360百科技术标准工作组成员，广东省LED产业联盟会员。材料所有光计接均阻学、光学工程、微电子与固体电子学、材料物理与化学4个硕士点，光学、微电子与固体电子学2个博士点、1个光学博士后流动站。

华南师永代地二降范大学光电子材料与技术研究所

研发团队

　　光电子材料与技术研究所有一支结构合理，经验丰富的研发团队，形成院士、教尽协害加济空叶授(研究员、高工)和博士后、博士、硕士组成的攻关队伍。目前，材料所拥有院士2人，教授5人，副高2人，中级人员4人。其中博导2人，硕导5人。材料所先后承担了国家重点攻关项目4项、部革之卷界、省级项目14项，市级项目2项陆盾笑至，授权或受理专利超过41项，发表核心论文120余篇。在LED器件的制备建城面鲜氧吧让、器件结构设计和工艺方面积累了丰富的实践经验。在材料所师生共同奋斗下，努力把材料所建设成为国内有影响力的重点光电研究单位，特别是高亮度大功率LED器件的研发。着力培养出更多合格的创新型高层次光电人才，为中国半导体照明产业服务。

所长简介

简己她何又快　　何苗，长期从事微光学器件设计制作和特殊光电材料的制备工作。1987年在吉林大学物理系获理学学士学位，1990年在中国科学院北京物理研究所获理学硕士学位，2001年在华中科技大学获工学博士学位。2002年1月到2006年7月， 在新加坡南洋理工大学做博士后，从事采用solgel材料制作微光学器件的研究。2006年9月至今，在华南师范大学研究员，从事光电子技突术和微光学技术的研究工作。迄今为止作为项目负责人主持过科研项目14项，其中国家级项目4项。获得国家国防科技三等奖和湖北省自然科学二等奖各1次。在国内外杂志上发表50多篇论文，其中34篇被SCI收录。

科研实力

　　材料所的实验室建设资金超过3000万元，建有多个国内领先的光电材料研发实验室，包括材料来自生长实验室、结构分析实验室、光谱分析实验室、材料电性分析实验室、器件可靠性分析实验室、芯片工艺实验室和LED应用研发实验室等。材料所先后承担国家、部、省和市级重大科技攻者立组编元座副源美关项目16项，授权或受理专利超过41360百科项，发表核心论文120型白良岩针喜青菜议判余篇。特别在发光器件的制备方向积累了多年实战经验，造诣深厚，超标完成"超高亮度LED和面发光半导体激光器"和"蓝绿白超高亮度发光二极管产业化试验"的研制工作，生产出超高亮度红、即双仍难极源还十黄、橙LED，引起各级领导专家的关注和媒体的报道。材料所在蓝光L氧露级预何知程交讲ED外延和芯片制备方面也获得多项原创性成果，发表核心刊物的蓝光LED论文有40余篇，关于蓝光LED器件的关键专利技术5印聚导项。

实验设备

　　光电子材料与技术研究所的电致光抓特风各电实验室是省教育厅重点实验室，现在材料所的实验室面积超过5200平方米，分答临旧实验大楼和新实验大楼。其中新实验大楼面积超过你界常论热师候温和便4000平方米.实验室配置的设备包括从材料生长--器件检测--芯片制备--应用开发的完整链条。实验仪器设备价值超过人民币3000万元。

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研究方向

　　2007年底，材料所研制出的蓝光LED外延片，经权威机构检测，结果达到国际同行先进水平。目前，材料所主要研叶蒸营安究工作有:1)半导体光法屋养杆电子材料与器件的研究，特别林数状应雷析空是超高亮度LED核心技术的研究工作，推动固体照明技术的产业化;2)薄膜微结构材料生长机理与技术研究，包括光子晶体、低维材料和薄膜生长的牛司怕安害女认久背信况特性研究;3)光电子器件芯片工艺的研发，特别是大功率LED芯片制备方法研究。4)光电子器件应用真除写自服什热道工程学研究，包括LED显示屏、LED照明和LED医学和生物应用研究。

　　亮度LED外延片研制和产业化

　　(1)图形衬底生长LED外延片研究;(2)表面光子晶体提升LED发光效率研究(3次角获矛领)等离子体提升LED发光效率研究。

　　Si衬底半极性、非极性GaN薄膜生长与器件研制

　　(1)Si衬底半极性、非极性GaN薄膜生长;(2)Si衬底InG题aN太阳能电池研制

　　新型LED芯片研制和产业化

　　(1)大功率LED芯片研制;(2)220V交流驱动LED芯片研制;(3)LED应用产品的研发

　　纳米光子集成器件研制

　　有机发光材料的制备及器件研制

　　ZnO等纳米材料的制备及性能研究

LED基地

　　在广州市科技局的支持下，在华南师范大学成立广州LED工业研究开发基地。华南师范大学广州市LED工业研究开发基地，主要从事照明级LED外延片、芯片、发光管和照明器具的研发和生产，公司设有研发中心和生产中心。LED基地将以半导体照明用LED的研究与产业化为主攻方向，研发能力涵盖从红外到紫外全波段的光电子材料与器件，技术手段包括MOCVD外延、芯片加工、器件设计制备及LED应用器材。

　　研发中心依托光电子材料与技术研究所。研发大楼面积4000平方米，实验室建设资金超过3000万元。拥有先进的GaAlInP基MOCVD系统和GaN基MOCVD系统各一台，有完整材料及器件特性检测设备和一条研发兼生产的芯片加工线等设备。

　　2007年10月，研发中心完成GaN基MOCVD系统安装、调试工作。2007年11月初，研发中心科研人员通过研制，制备出国际先进水平的蓝光LED外延片，把该外延片的芯片封装成蓝光LED和白光LED，经中国赛宝国家实验室检测中心抽样测量，测试结果表明:在标准芯片尺寸和20mA电流输入下，蓝光LED平均正向电压为3.2V，光功率达到22mW，而白光LED的光功率达到15mW，流明效率超过69lm/W。

发展历程

　　1997年12月，MOCVD实验室正式建成。

　　1999年10月13日，为顺利完成国家和广州市的红、橙、黄光LED的合同科研攻关任务，MOCVD实验室和广州经济开放区永和公司成立了广州亮达光电器件公司。

　　2000年11月，广州亮达光电器件公司超额完成国家LED科技攻关项目和广州市LED半工业化项目的研究工作。研究成果通过8院士专家的签定，受到包括人民日报、羊城晚报、广州日报和日本、韩国媒体的广泛关注。

　　2000年11月底，MOCVD实验室的电致光电器件实验室获批准为省教育厅重点实验室。

　　2002年8月底，学校批准把MOCVD实验室更名为光电子材料与技术研究所。

　　2004年8月，为推进半导体照明LED的产业化，华南师范大学光电子材料与技术研究所与香港健隆科技集团合作成立筹备"广州市LED工业研究开发基地"的领导小组。

　　2004年11月，广州市科技局大力支持"广州市LED工业研究开发基地"科研项目攻关工作。给予该项目2000万元的科研基金资助。

　　2006年，光电子材料与技术研究所成为校直管科研机构。

　　2007年1月20日，"广州市LED工业研究开发基地"项目合作签约正式仪式在华南师范大学校行政大楼七楼第二会议室举行。

　　2007年5月28日，广州市科技局支持的重大产学研项目基地--"广州市LED工业研究开发基地"正式在我校落成。

　　2007年11月26日至28日，由中国有色金属学会主办、华南师范大学光电子材料与技术研究所与广州市LED工业研究开发基地共同承办的第十届全国MOCVD会议在广州华泰宾馆隆重召开。

　　2007年11月26日下午中科院王启明院士莅临我校广州市LED工业研究开发基地参观指导。

　　2007年12月7日上午，半导体材料物理专家秦国刚院士受聘我校双聘院士仪式在我校石牌校区校部七楼第二会议室举行。秦院士任光电子材料与技术研究所学术委员会主任。

　　2008年2月20日，广东省科技厅于2月20日公布了《关于签定2007年粤港关键领域重点突破中标项目合同的通知》(粤科函高字〔2008〕125号)，我所范广涵教授主持申报的"发光二极管(LED)外延片材料和生长方法"项目获准立项，立项经费为200万元。这是我校首次以第一申报单位获批粤港关键领域重点突破招标项目。

　　2008年3月26日，《南方日报》专稿介绍我校LED重大研发成果。

　　2009年11月与广州花都区的鸿利光电进行LED产业方面的合作研究。