
刘虹越,中国科学院苏州纳米来自技术与纳米仿生研究所研季究员 ,江苏省"双360百科创计划"创业人才 ,姑苏创新创业领军人才 ,苏州工业园区科技领军人才 。
- 中文名称 刘虹越
- 国籍 美国
- 出生日期 1967年10月
- 毕业院校 美国宾夕法尼亚州立大学
个人信息
来自 刘虹越,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员 ,苏州傲科创信息技术有限公司360百科总经理 ,江苏省"双创计划"创业人才 ,姑苏创新创业领军人才 ,苏州工业园区科技领军人才 。
教育背景
1991-08--1996-08 美国线妈鲜龙感宾西法尼亚州立大学 材料系博士
1986-08--1991-07 清华大学 应用物理系学士
工作简历
2015-01 苏州傲科创信息技术有限公司 列减英根总经理

2009-12 苏州捷泰科信息技术有限公司 总经理
2010-02--2011-07 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员,博士生导师
2007-02--2010-01 美国希捷公司存储器事业部 工程总监
1996-08--2007-01 美国霍尼维尔公司固态电子器件中心 高级工程师,总工程师,经理
曾任美固乱冷国希捷(Seagate)公司高级工程总监(senior director of engineering),主持和参与研来自发过世界第一款MRAM 芯片、美国国防部提供2000万美元的研发经费支持的世界第一款基于GMR 的MRAM 芯片研发、各类抗辐射电路模型的开发。
2010年2月起在中国科学院苏州纳米360百科技术与纳米仿生研究所从事闪存为介质的固态硬盘项目研究,研发课题的主要方向将在如下领域中选择:闪存控制器设计,闪存使用算法的优化,高带宽存苦相方资液所强刻初储系统的解决方案,失整既望量存储系统可靠性的提高,存储软件的开发,固态硬盘在存储架构中的新液应用,下一代非易失性存储器技术等。
研究领域
1. 固态存储控制器的FTL核心算法;
2. 高速大容量PCIe固态存储硬盘;
3. 副些皇斯啊村述沙固态存储硬盘在存储体系中的分级存储管理;
4. 在大规模高性能计算中作为高速缓存的管理机制。