硅锗的性质

《硅身新载兰锗的性质》是于2002年力种热国防工业出版社出版图书，作者是卡斯珀。由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日药如专河鸡较造本等国Si基异质结构和应用领域的教授们撰稿，是一本论述SiGe/Si知识的权威性来自专著。

• 书名 硅锗的性质
• 作者 卡斯珀
• 原作品 Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium
• 出版社 国防工业出版社
• 出版时间 2002年9月1日

内容介绍

　　《硅锗的性质》共七章，第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质;第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiG细半海春奏矛龙数张突e合金的具体材料性质，论述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容来自;第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。

　　《硅锗的性质》是半导体领域的学者和工程技术人员的必读书，适于材料专业和半导体专业的科技人员、研究生封了设保征却约食、博士生阅读，还状斗烈以伤可供物理领域中的广大科技人员作为手册360百科进行查阅。

　　继Si之后，SiGe/Si是研究得最多、最深入的一类Si基异质商的甲须令边与材料。应变的和弛豫的SiGe已氧经成为电子集成电路和光电子集成电路的非常重要的材料。

作者简介

　　译者记局点居去法象销确穿:余金中 编者:(德国)才材哥卡斯珀 (Erich Kasper) 合著者:王杏华 王海跟较构流更推婷普物列莉 夏永伟

　　Eric素保跟不体怎做理h Kasper(卡斯珀)，自1994年以来一直担任德国斯图加特大学半导体研究所所长，长期从事量子电子器件的理论和纳米结构自组织的器件结构MBE研究工作，在SiGe的研究领域具有很高的国际声儿上丰失点胜望，并有两本专著和近百篇论文发表。

图书目录

　　第一章 引言

　　1.1 应力引起的外延薄膜的形貌不稳定性和成岛

　　1.练迫介新犯化2 SiGe/Si系统中束示周相型缺死失配位错网络的平衡理论

　　1.3 SiGe/Si系统中亚稳应变层的结构

　　第二章 结构特性

　　2.1 来自SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固一液相图

　　2.2 SiGe合金的有序性

地头言介架　　2.3 Si/Ge界面:结构、能量和互扩散

　　第三章 热学、力学和晶格振动学性质

　　3.1 SiGe的弹性常数

　　3.2 SiGe的热力学性质

　　3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱

　　第四章 能带结构

　　4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系

　　4.2 应变对SiGe价带结360百科构的影响

　　4.3 应变对SiGe导带结构的影响

　　4.4 SiGe中的有效质量

　　4.5 SiGe异质结和带偏家草送各叶企零主上略问移

　　4.6 SiGe的光谱

　　4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应叫料修黑带战生代触变对光学函数的影响

　　第五章 运输特性

　　5.1 SiGe/Si 需今居学河系中的电子和空穴的迁移率

　　5.2 Si/SiGe 异质结的注入

　　5.3 SiGe/Si 结构中的磁运输特性

　　第六章 表面性质

　　第七章 细范案益够力临清Si 基器件的结构和重要数据集锦

图书序言

　　发明了双极晶体管之后，经过几但跑章场夜半皮年等屋年时间，电子半导体的基本材料由锗变为硅。就是在1否法秋960年前后的这一转变时期，人们对无应变的SiGe合金体材料产生了相当的兴趣。自1985年起，分子束外延等先进外延生长技术使得在Si衬底上生长高质量薄膜的应变SiGe层成为可能。制成的SiGe/Si结构大大刺激了对硅基异质结构的研思是究，之后的几年内，研制出了最快的硅基晶体管，并显示出了许多令人神往的机遇。

　　本书将满足读者三种不同的要求。第一章综述了需要注意的应变层系统的一些此望病者看钟总体性质。SiGe/Si异质结构中，Si和Ge具有类似的化学特征，使其化学效应降至最低，因此，在应力的驱动下，这种异质结构会产生一些物理现象，我们可以将其看作是典型的系统。