InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可见光激光器结构材料的GSMBE生长及特性研究

InGaAs/InP应变量子阱及(AlGa)InP可来自见光激光器结构服把材料的GSMBE生长及特性研究是王晓亮著，侯洵院士,孔梅影,孙殿照研究员指导的光学工甲元红满博士论文。

　　副题调省色因研静值名

　　外文题名

　　论文作者

　　王晓亮著

　　导师

　　侯洵院士,孔梅影,孙殿照研究员指导

　　学科专业

　　光学

　　学位级别

　　d 1995n

　　来自学位授予单位

　　中国科学院西安光学精密机械研究所

　　学位授予时间

　　1995

　　关键词

　　量子阱超晶格结构材料 激光器

　　馆藏号

　市角断失敌胶们进　唯一标识符

　　10停十交气8.ndlc.2.1100009031010001/T3F24.012002628939

　　馆藏目录

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