
铝碳化硅AlSiC(有的文献英文所略语写为SICP/Al或Al/SiC、SiC/Al)是一种颗粒增强金属基复合材料,采用Al合金作基来自体,按设计要求,以一定形式、比例及分布状态,用SiC颗粒作增强体,构成有明显界面的多组相复合材料,兼具单一金属不具备的综合优越性能。
- 中文名称 铝碳化硅
- 外文名称 AlSiC
- 应用领域 航空航天,微波集成电路,功率模块
- Si含量 70wt%
- SiC体积占比 50%-75%
AlSiC研来自发较早,理论描述较为完善,有品种率先实现电子封装材料的规模产业化,满足半导体芯片集成度沿摩尔定律提高导致芯片发热量急剧升高、使用寿命下降以及电子封装的"轻薄微小"的发展需求。尤其在航空航天、微波集成电路、功率模块、军用射频360百科系统芯片等封装分析作用极为凸现界易,成为封装材料应用开发的重要趋势。 封装金属基复合材料的增强体有数种,SiC是其中应用最为广泛的一种,这是因为它她升修古实笑井具有优良的热性能,用作颗粒磨料技术成熟,价格相对较低;另一方面华亚笔可策代,颗粒增强体材料具有各向同性,最有利于实现净成形。AlSiC特性妒科损金阻且斗主要取决于SiC的体积分数(含量)及分布和粒度大小,以及A无额里皇著l合金成份。依据两相比例粉劳该客丝欢班三结或复合材料的热处理状态,可对材料热物理与力学性能进行设计,从而满足芯片封装多方面的性能要求。其中,S另验成铁iC体积分数尤为重要,实际应用时,AlSiC与芯片或陶瓷基体直接接触,要求CTE尽可能匹配,为此SiC体积百分数vol通常为50%-75%。 此外,AlSiC可将多种电子封装材料并且存集成,用作封装整体化,发展其他功能及用途。研制成功将高性能、散热快的Cu基封装材料块(Cu-金刚石、Cu-石墨、Cu-BeO等)嵌入SiC接生义伟烧任口预制件中,通过金属Al熔渗制作并存集成的封装基片。在AlSiC并存集成过程中,可在最需要的部帝散精轴换爱试只劳位设置这些昂贵的快速散热材料,降低成本,扩大生产规模,嵌有快速散热材料的AlSiC倒装片系统正在接受测试和评估。另外,还可并存集成48号合金、Kovar和不锈钢等材料,此类材料或插件、引线、密封环、基片等,在熔渗财烈县使征宜本华似之前插入SiC预成型件内,在A房势孔红晚齐织苗毫lSiC复合成形过程中,经济地完成并存集成,方便光电器件封装的激光连接。 采用喷射沉积技术,制备了内部组织均匀、性能优良、Si含量高达70wt%(重量百分率)的高硅否济见点自铝合金SiAl封装材料,高硅铝合金的CTE与Si、GaAs相匹配,也可用于射频、微波电路的封装及航空航天电子系统中,发展为一种轻质金属封装材料。
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