陈远富

陈远富，男，仅报友底博士、教授。 研究兴趣和方向:石墨烯的宏量、可控制段毫厂五湖们备及物理效应研究;石墨烯射频石墨烯场效应晶体管研究;石墨烯基光电器件研究;石态墨烯基新能源器件(太阳能电池、锂来自离子电池、超级电容器)研究;磁性、介电、半导体何的集成生长、界面控制与调制耦合弱刚检很者象攻响态效应。主要设备:石墨烯CVD系统、超高真空石墨烯外延系统、分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统等。

• 中文名称 陈远富
• 国籍 中国
• 民族 汉
• 职业 博士、教授
• 毕业院校 四川大学

人物经历

　　2001年6月获四川大学材料学博士学位，2001.7月-2005.1先后在中科院物理研究所、台湾国立清华大学从事博士后研究，2005.3-2008.5先后在德国莱比锡大学、莱布尼兹固态所从事访问研究，2008年5月作为海外引进教授加入电子科技大学微电子与固体电子学院、电子薄膜与集成器件国家重点实验室。

　　研究来附运参血待补三儿花植经历:

　　2001年7月至2003年6月 博士后

　　中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室

　　稀土--铁基金属间化合物磁热效应

　　2003年7月至2005年1 博士后

　　台湾国立清华大学材料科学与工程学系

　　III-V稀磁半导体薄膜及量子点阵的MBE生长及磁性

　　2005年3月至2007年2月 访问学者

　　Faculty of Physics and Earth Science, University of Leipzig, Germany，德国莱比锡大学物理与地球科学学院

　　钙钛矿锰氧来自化物薄膜及异质结的磁性、电子输运性能

　　2007年3月至2008年5月 访问学者

　　Institute for Integrative Nanosciences，Leibniz Instit360百科ute for Solid State and Mat因实粉争所置列陆史云队erials Research Dresden，Germany 德国莱布尼兹固体材料研究所、纳米科学研究所

　　柔性巨磁电阻金而会苏入硫鲜器属多层膜磁性与磁丰烈械钢安需饭损输运性能

　　2009年9月 访问学者

　　空搞实苦机厚分粉破美主Institute of Technical Physics, University of Erlangen-Nu激执完清过行remberg, Germany，德国埃尔朗根-纽伦堡大学技术物理研究所

　　热解碳化硅单晶基片制备石墨烯外延薄膜及其结构表征与电学性能

研究方向

　　介电功能薄膜外延生长、界面控制与物理性能;

　　石墨烯薄膜与器件的制备及电学性能;

　　微、纳电子结构及电学性能。

　　研究方向:

　　石墨烯材料可控制备研究

　　大面积、高质量石墨烯薄膜可控制备;

　　大规模逐义委异组心损即、低成本石墨烯粉末宏量制胡号的效通门某白时备;

　　石墨烯大畴单晶连续薄膜可控制备。

　　石墨烯新型器件研究

　　基于石墨烯的微电子器件(如石墨烯射频器件、微波器件等)研究;

　　基于石墨烯的光电子器件(如石墨烯发光与显示器件、触摸屏器件、太阳能电池等)研究;

　　基于石墨烯的储能器件(如石墨烯锂离子电池、超级电容器、锂硫电池等)研究;

　　基于石墨烯的传感器件(如石墨烯应变、应力传感器、气敏传感器、生物传感器等)研究。

　　新型二维半导体材料制备及器对脚件应用

　　设计、计算与预测新型二维半导体:采用材料基因工程思路，设计与预测高性能的新型二维半导体材料(例如寻找以;

　肥　MoS2为代表的兼具较高迁移率与一定禁带宽度的MX2体系新型二维半导体);

　　新型二维半导体材料可控制备:

　　新型二维半导体的电学、光电性能研究:

　　新型二维半导体器件研究:微电子器件，光电器件。

　　材料制备设备:

　　石墨烯布期危薄膜CVD系统(CVD System for Graph绍即滑甲广ene films)2套，可制备粉交快量24*12平方英寸大面积石墨烯薄膜;

　　石墨烯外延单晶薄膜(Home-bu运过错得游ilt System 心分色愿场注胶江for Epitaxial GrapheneGro杂画组云坚响wth);

　　二维半导体CVD系统(CVD System for MX2 2D semiconduc却tor films)1套，用于MX2二维半导体薄膜的可控制备;

　　介电外延薄膜及异质结(Modified Riber EVA32 MBE);

　　氧化物薄膜、金属薄膜(E-beam Evaporator, Magnetron-sputtering);

　　金属电极生长(E-beam Evaporator, Thermal Evaporator)。

　　储能器件设备:

　　锂离子电池、超级电容器封装系统--布劳恩Lab Star手套箱;

　　CHI 660D 电化学谈心乱本织神怀硫某草深工作站。

　　重点实验室公用设备:

　　表面、结构表征之AFM、HRXRD、SEM等;

　　电学性能测试之Agilent 4155B、Agilent 4294等;

　　微细加工中心之全套光刻、干刻设备。

　　主要设备

　　半导体外延薄膜及异质结(SVT MBE)

　　介电外延薄膜及异质结(Modified Riber EVA32 MBE)

　　氧化物薄膜、金属薄膜(E-beam Evaporator, Magnetron-sputtering)

　　金属电极生长(E-beam Evaporator, Thermal Evaporator)

　　石墨烯薄膜(CVD System for Graphene films、)

　　石墨烯外延单晶薄膜(Home-built System for Epitaxial GrapheneGrowth)

　　重点实验室公用设备:

　　表面、结构表征之AFM、HRXRD、SEM等

　　电学性能测试之Agilent 4155B、Agilent 4294等

　　微细加工中心之全套光刻、干刻设备

主要来自贡献

在研项目

　　1. 国家自然基金面上项目"钙钛矿铁磁/铁电外延异质结的磁电性能"，负责;

　　2. 电子科技大学青年基金重点项目"铁电薄膜与半导体的外延集成及性能研究"，负责;

　　3. 电子科技大学启动基金项目"铁电薄膜及异质厂结的外延生长及性能研究"，负责;

　　4. 国家自然基金重点项目"介电/半导体集成薄膜的分子束外延生长与界面控360百科制研究"，主研;

　　5. 国防"973"子项目"XXX特性的影响研究"，主研。

论文专利

　　近几年在ACS Nano、Advanced M课对误服aterials、Applied Physics Letters、Physical Review B、EPL、Journal of Applie着象d Physics等国际期刊上发表SCI论文40余篇，被同行引用300余次。获中国发明专利2项，申请中国发明专利2项。近几年代表性论文下:

　　1. Y. F. Chen, 鲜计Y. F. Mei,R. Ka城劳烈卷ltofen,J过误吸神种或. I. M?nch, J. Schumann,J. Freudenberger, H. J. Klauss, O. G. Schmidt,

　　Toward flexible magnetoelectronics: Buffer-enhanced and mechanically tunable GMR of Co/Cu multilayers on plastic substrates.

　　Advanced Ma怀员例terials, 20 3224(2008).

　　2. Y. F. Mei, D. J. Thurmer, C. Deneke, S. Kiravittaya, Y. F. Chen, A. Dadgar, F. Bertram, B. B洲蒸astek, A. Krost, J. Christen, T. Reindl, M. Stoffel, E. Coric, O. G. Schmidt

　　Fabrication, self-assembly, and propertie记环华市s of ultrathin Al需古渐他触病洲且袁处保N/GaN porous crystalline nanomembranes: tubes, spirals, and curved sheetsACS Nano 3, 1663 运还(2009)

　　3. Y. F. Chen, J. H. Huang, W. N. Lee , T. S. Chin, R. T. Huang, F. R. Chen, and J. J. Kai.

　　Room-temperat验注学ure ferromagnetism in self-ass附embled (In, Mn)As quantum dots.Ap甚冲pl Phys Lett., 业90: 022505 (2007).

　　4. Y. F. Chen主需们意状曾乙成哪政, M. Ziese, and P. EsquinaziJoule-heating-enhanced colossal magnetoresistance in La0.8Ca0.2MnO3 films.Appl. Phys. Let老更致还次t. 89: 082501 (20八考左子政低神办棉陆06).

　　5. Y. F. Chen, M. Ziese, and P. EsquinaziBistable resistance state induced by Joule self-heating in manganites: a general phenomenon.Appl. Phys. Lett.88: 222513 (2006).

　　6. Y. F. Chen, and M. ZieseSpin filter in LSMO/CoFe2O4/Nb(0.5%):SrTiO3 heterostructuresPhys. Rev. B, 76: 014426 (2007)

　　7. H. T. Lin, Y. F. Chen, P. W. Huang, S. H. Wang, J. H. Huang, C. H. Lai, W. N. Lee, and T. S. ChinEnhancement of exchange coupling between GaMnAs and IrMn with selforganized Mn(Ga)As at the interfaceAppl Phys Lett., 89: 262502 (2006).

　　8. J. R. Sun, C. M. Xiong, T. Y. Zhao, S. Y. Zhang, Y. F. Chen, and B. G Shen.Effects of magnetic field on the manganite-based bilayer junction.Appl. Phys. Lett., 84: 1528-1530 (2004).

　　9. Y. F. Chen, and M. ZieseNonlinear transport properties of La2/3Ca1/3MnO3 and Fe3O4 in extreme Joule heating regime.J. Appl. Phys. 101: 103902-1~7 (2007).

　　10.Y. F. Chen, and M. ZieseInterface capacitance of La0.8Ca0.2MnO3/Nb:SrTiO3 junctionsJ. Appl. Phys.. 101: 123906-1~4 (2007).

　　11. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, G. J. Wang, J. R. Sun, F. X. Hu, and Z. H. ChengMagnetic properties and magnetic entropy change of LaFe11.5Si1.5Cy interstitial compounds.J. Appl. Phys 93: 6981-6984 (2003).

　　12. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, G. J. Wang, and J. R. SunMagnetism and magnetic entropy change of LaFe11.6Si1.4Cx (x=0~0.6) interstitial compounds.J. Appl. Phys 93:1323-1325 (2003).

　　13. Y. F. Chen, M. McCord, J. Freudenberger et al.Effects of strain on magnetic and transport properties of Co films on plastic substrates.J. Appl. Phys. 105, 07C302 (2009).

　　14. Y. F. Chen, and M. ZieseMagneto- and Electroresistance of La0.7Sr0.3MnO3/Nb(1.0%):SrTiO3 JunctionsJ. Appl. Phys.. 07C918 (2009).

　　15. F. Wang, J Zhang, Y. F. Chen, G. J Wang, J.R. Sun, B. G. and ShenSpin-glass behavior in La(Fe1-xMnx) 11.4Si1.6 compounds.Phys. Rev. B, 69: 094424-1 -5 (2004).

　　16. Y. F. Chen, F. Wang, B. G. Shen, F. X. Hu, J. R. Sun, G. J. Wang, and Z. H. ChengMagnetic properties and magnetic entropy change of LaFe11.5Si1.5Hy interstitial compounds.J. Phys.:Condensed Matter 15, L161-L167 (2003).

　　17. Y. F. Chen, Y. F. Mei, A. Malachias, J. I. M?nch, R. Kaltofen, and O. G. SchmidtPhotoresist-buffer-enhanced antiferromagnetic coupling and GMR of Co/Cu multilayersJ. Phys. Condensed Mater.(Fast Track Communication) 20: 452202 (2008).

　　18. Y. F. Chen, D. Spoddig, M. ZieseEpitaxial thin film ZnFe2O4 a semil-transparent semiconductor with high Curie temperature.J. Phys. D: Appl. Phys. 41: 205004 (2008).

　　19. Y. F. Chen, M. Ziese, and P. EsquinaziMagnetotransport properties of Fe3O4-La0.7Sr0.3MnO3 junctions.J. Phys. D: Appl. Phys. 40: 3271-3276 (2007).

　　20. Y. F. Chen, and M. ZieseIntrinsic spin filtering in a La2/3Ca1/3MnO3 / Nb (1.0%): SrTiO3 junction.

　　Europhys. Lett., 77: 47001(2007).

　　专利成果

　　(1)已获授权中国发明专利7项

　　1. 专利名称:一种石墨烯场效应晶体管发 明 人:陈远富、王泽高、 郝昕、刘兴钊、李言荣申 请 日:2010.02.05申 请 号:201010107622.6公 开 号:CN101777583A授 权 日:2011.09.14专 利 号:ZL 2010 1 0107622.6

　　2. 专利名称:超大面积高质量石墨烯薄膜电极的制备方法发 明 人:陈远富、王泽高、李言荣申 请 日:2010.01.26申 请 号:201010101217公 开 号:CN101760724A授 权 日:2011.10.12专 利 号:ZL 2010 1 0101217.3

　　3. 专利名称:石墨烯电致发光显示器件及其制造方法申 请 日:2010.09.16申 请 号:201010283104.X

　　发 明 人:陈远富、王泽高、李萍剑、李言荣授 权 日:2012.11.14专 利 号:ZL 201010283104.X

　　4. 专利名称:石墨烯染料敏化太阳能电池及其生产方法申 请 日:2010.12.20申 请 号:201010596978.X发 明 人:陈远富、程凯、王泽高、李萍剑、张万里、李言授 权 日:2012.9.12专 利 号:ZL 201010596987.X

　　5. 专利名称:一种单晶石墨烯的制备方法申 请 日:2011.09.05申 请 号:2011110260289.7发 明 人:陈远富、王泽高、李言荣、李萍剑、张万里授 权 日:2013.9.25专 利 号:ZL 2011110260289.7

　　6. 专利名称:一种超级电容器的石墨烯材料的制备方法申 请 日:2012.01.17申 请 号:201210014031.3发 明 人: 陈远富、黄然、王泽高、李萍剑、贺家瑞、张万里、李言荣授 权 日:2013.12.13专 利 号:ZL 201210014031.3

　　7. 专利名称:一种锂离子电池负极材料的制备方法申 请 日:2012.05.08申 请 号:201210138679.1发 明 人:陈远富、黄然、王泽高、李萍剑、贺家瑞、张万里、李言荣授 权 日:2014.05.21专 利 号:ZL 201210138679.1

　　(2)已公开、尚未授权中国发明专利9项1. 专利名称:一种降低石墨烯薄膜方阻的方法申 请 日:2011.02.21申 请 号:201110041766.0发 明 人:陈远富、王泽高、李萍剑、李言荣

　　2. 专利名称:一种石墨烯太阳能电池及其制备方法申 请 日:2011.11.04申 请 号:201110346445.1发 明 人:王泽高、陈远富、李萍剑、张万里、李言荣

　　3. 专利名称:一种染料敏华太阳能电池用石墨烯对电极及其制备方法申 请 日:2012.02.24申 请 号:201210043258.0发 明 人:陈远富、王泽高、李萍剑、张万里、李言荣

　　4. 专利名称:SiC热裂解法制备石墨烯的系统及其方法申 请 日:2012.08.29申 请 号:201210312411.5发 明 人:陈远富、郝昕、李萍剑、王泽高、刘竞博、张万里、李言荣

　　5. 专利名称:一种石墨烯的制备方法申 请 日:2012.09.19申 请 号:201210347577.0发 明 人:王泽高、陈远富、李萍剑、贺加瑞、郑斌杰、刘竞博、郝昕、张万里、李言荣

　　6. 专利名称:一种硅面SiC衬底上的石墨烯光电器件及其制备方法申 请 日:2013.01.31申 请 号:201310037225.X发 明 人:陈远富、郝昕、王泽高、李萍剑、刘竞博、张万里、李言荣

　　7. 专利名称:一种硅面SiC外延石墨烯液相氟插层方法申 请 日:2013.03.05申 请 号:201310068741.9发 明 人:郝昕、陈远富、王泽高、李萍剑、刘竞博、张万里、李言荣

　　8. 专利名称:一种热裂解碳化硅制备外延石墨烯的方法申 请 日: 2013.04.24申 请 号: 201310143450.发 明 人:陈远富、郝昕、王泽高、李萍剑、刘竞博、张万里、李言荣

　　9. 专利名称:一种双层石墨烯薄膜的制备方法申请号:201310441680.6申请日:2013.09.25申请人:电子科技大学发明人:陈远富、刘竞博、李萍剑、王泽高、张万里