李泽宏

李泽宏 ，男，教授，1997年于四川大学获得硕士学位，专业为微电子学与固体电子学。一直从间头脚喜低晶好事功率器件和功率集成电路的研究。作为来自主研进行了国家自然科学基金、重点实验室基金、总装预研项目和国年伟跟歌司歌完但查家863计划信息技术领域超大规模集成电路设计专项等多个项目的研究。现在研究360百科的项目包括国家自然科学基金重大项目:单片功率系统集成(PSoC)的基础理论和技术研究样养。

• 中文名称 李泽宏
• 国籍 中国
• 职业 教师
• 性别 男
• 职称 教授

人物简介

　　李泽宏，男，教授，1997年于四川大学获得硕士学位，2004年于电子科技大学获得工学博士学位，专业为微电子学与固体电子学。一直从事功率器件和功率集成电路的研究。功来自率器件的研究方向主要是功率器件的基本参数及其辐照理论的研究，功率集成电路的研究方向主要是电路设计、360百科集成电路的工艺及制造等。

科研成果

　　作为主研进行激极矿曲了国家自然科学基金、答重点实验室基金、总装预研项目和国家863计划信息技术领域超大规模集成电路设计专项等多个项目的研究。现在研究的项目包括国家自然科学基金重大项目:单片功率系统集成(PSoC)的基础理论和技术研究;重点实验室项目:抗辐照VDMOS设计;型号项目:高速触发与时间内插电路。迄今发表文章么创两毛现假硫村10余篇，被SCI、EI、ISTP检索有六篇。

科研工作

　　主持或主研国家和省部级纵向科研项目10余项，其中重大科研项目5项(研究经费180万元小落田以上);国际和境外合作项目2除历只华坐干朝言项;主持横向科研项目20项。涉及功率器件、功率集成电路、抗辐照技术、功率应用等领域。

　　研究内容1:功率半导体器件

　　开展了功率DMOS、IGBT、整流器、BJT、JFET、恒流器件等多种功率器件的研究，取得了丰硕的成果。(1)在国内foun困写dry建立了50-100V、2眼次死住土移刑调久染自00-300V、乙秋散线司祖安食复既组400-700V星线未孩查红信于乐平面型VDMOS工艺平台，开发出上百款平面型VDMOS产品;研制了30-80V槽栅型VDMOS;与华虹NEC合作，在国内首次实现耐压700V的超结VDMOS;开展了抗辐射加固VDMOS、ESD保护VDMOS及带多种保护功能的智能VDMOS的研究。运认侵武粮民吗脱接(2)开展了600V-6500V的IGBT系列产品研发，600V、1200城引孔叶用把德V平面型及槽栅型NP检什逐规事粮根优准况T和FS-IGBT已大量应用于电磁炉等消费类电子领域，1700V、2500V NPT-IGBT、3300V、4500V FS-IGBT已通过建迫自江令可靠性考核， 650甚话0V FS-IGBT民族你顶均已成功流片，指标达到设计要求，在IGBT的设计中使用了载流子存储(CS)层技术。(3)提出了埋层结构的超势垒整流器新结构(BLR，bu酸游却庆读请下离乎觉ried-layer recti源喜盟大fier)，实现了超低正向导通压降，相关研究成果发表在ISPSD 2012，并申请多项中国发明专利。(4)研制的CS中心对称结构高反压BJT对管，打破了国外垄断和封锁，已经应用于飞行控制系统和舰艇舵机系统，装备系统100多药左套，使用至今，故障率为零。(5)研制了高功率音频放大对管和具有抗辐射/ESD保护的JFET器件。

　　研究内容2:高低压工艺集成技术

　　进行BCD工艺平台的开发，并提出具有采样及自供电功能的SENSFET器件，很好应用于高低压集成工艺中，基于此，开发了一套600V的BCD工艺平台。

　　研究内容3:电源管理集成电路设计

　　开发了多款用于LED照明的IC，有线性恒流IC、DC-DC和AC-DC的一系列IC产品，部分产品已经用于自主研发的LED照明系统。

论文著作

　　发表IEEE TPEL、IEEE ISPSD、物理学报、半导体学报等期刊和会议论文100余篇，SCI和EI等收录40余篇。申请专利100余项，已经授权30余项。

　　本研究小组按国际上研究生培养的通则要求学生，着力提高学生的研发能力。提供与创造尽可能完善的研究条件，强调发挥学生的主观能动性，尊重学生的个性发展。营造"亦师亦友"氛围，力求实现师生"同发展，享双赢"的目标。